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Plextor M6e 512GB, M.2

Plextors M6e-M.2-2280-PCIe-Gen2 x2 ist eine ultraschnelle SSD, die Komponenten der neuesten Generation und eine native PCIe-Schnittstelle für extrem hohe Leistung nutzt. Sie eignet sich für ultraschmale Notebooks und Motherboards, die PCIe-M.2-SSDs der Größe 2280 unterstützen (80,0 mm × 22,0 mm). Gamer und anspruchsvolle Nutzer werden sich am Reaktionsvermögen und den ultraschnellen Ladezeiten erfreuen, die die leistungsstarke M6e-M.2 liefert.

Durch Umgehung des 6-Gb/s-Limits der SATA-Rev-3.0-Schnittstelle kann Plextors M6e-M.2 maximale sequenzielle Lesegeschwindigkeiten von 770 MB/s und sequenzielle Schreibgeschwindigkeiten von 625 MB/s erreichen. Ihre zufälligen 4K-Lesegeschwindigkeiten erreichen Spitzenwerte von bis zu 105,000, zufällige Schreibgeschwindigkeiten schaffen bis zu 100,000 IOPS. Leistung, die im schnellen Laden von Levels, schnellen Bootvorgängen, nahtloser Videobearbeitung und mehr zum Ausdruck kommt.

Ihre Geschwindigkeit erhält die M6e-M.2 durch die Kombination eines Multi-Kern-Marvell-PCIe-9183-Controllers, hochwertigen Toshiba-Toggle-NAND-Flash-Speicher, schnellen integrierten DDR3-DRAM-Cache und Plextors eigene intern produzierte angepasste Firmware. Plextor konzentriert sich auf Zuverlässigkeit, führt umfassende Tests in eigenen hochmodernen Einrichtungen durch, wodurch die M6e-M.2 eine berechnete mittlere Betriebsdauer zwischen Ausfällen (MTBF) von 2,4 Millionen Stunden erreicht.

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SAMSUNG 850 Evo Series 120GB SSD mSATA (AT)

Optimieren Sie die Rechenleistung mithilfe der TurboWrite-Technologie für unerreichte Geschwindigkeiten beim Lesen und Schreiben
Erreichen Sie optimale Lese / Schreibgeschwindigkeiten und sorgen Sie mithilfe der TurboWrite-Technologie von Samsung täglich für ein maximales Computererlebnis. Im Vergleich zum 840 EVO zeigt das 850 EVO eine um circa 13% verbesserte Gesamtbenutzererfahrung, teilweise dank der jetzt doppelt so schnelle zufälligen Schreibgeschwindigkeit**. Mit einer sequentiellen Lese- bzw. Schreibgeschwindigkeit von 540 MB/s bzw. 520 MB/s liefert das 850 EVO die beste Leistung seiner Klasse. Genießen Sie optimierte zufällige Schreib / Lese-Performance in allen Warteschlangentiefen (QD) für Client-PC-Anwendungsszenarien.

Was versteht man unter 3D V-NAND und wie unterscheidet es sich von der bestehenden Technologie?
Die einzigartige innovative 3D V-NAND-Flash-Speicher-Architektur von Samsung stellt einen Durchbruch bei der Überwindung von Beschränkungen der Dichte, Performance und Beständigkeit der herkömmlichen planaren NAND-Architektur dar. In 3D V-NANDs werden 32 Zellschichten vertikal übereinander geschichtet, statt die Ausmaße der Zellen zu verringern und zu versuchen, mit einem festgelegten horizontalen Platzangebot auszukommen. Dadurch bietet die Technologie eine höhere Dichte und bessere Performance bei weniger Platzbedarf.

Vergrößern Sie den Datenspeicher mit dem RAPID-Modus
Das Samsung 850 EVO M.2 ist eine Hochgeschwindigkeitsmaschine. Mithilfe der neuesten Samsung Magician Software können Sie den RAPID-Modus aktivieren, um auf unbenutzten PC-Speicher (DRAM) zuzugreifen und diesen als Zwischenspeicher mit bis zu 25% der gesamten DRAM-Kapazität zu nutzen. Dank dieses erheblich vergrößerten Speichers wird die Datenverarbeitung beschleunigt und die zufällige QD kann im RAPID-Modus auf bis das Doppelte ansteigen.

Langlebigkeit und Zuverlässigkeit, unterstützt durch 3D V-NAND-Technologie
Das 850 EVO liefert eine garantierte Langlebigkeit und Zuverlässigkeit, indem es den TBW-Wert (Total Bytes Written) im Vergleich zur vorherigen Generation 840 EVO verdoppelt* und zusätzlich eine in der Branche unerreichte 5-Jahresgarantie anbietet. Durch die Verbesserung der Leistung um bis zu 30% ermöglicht das 850 EVO eine nachhaltige Performance** und zählt somit zu den zuverlässigsten Speicherlösungen.

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